高速的、时间分辨的反射率热成像技术作为一种全新的技术，可以用于微电子器件中定位缺陷及潜在失效。本文主要介绍如何利用microsanj反射率热成像系统对电路的温度分布进行动态成像。反射率瞬态成热像技术主要基于精确的电子锁相放大技术和图像处理技术，整个系统中包含了一个电子快门摄像机和一个可以脉冲驱动的LED光源。文中除了介绍反射率热成像技术的原理之外，还描述了microsanj反射率热成像系统的硬件系统。并理论上给出了同样基于锁相放大原理的红外热成像技术以及反射率热成像技术两种技术的对比。最后，文章着重给出了近红外波段的反射率热成像实例，利用该方法实现了在同一个系统中，既可以穿透硅衬底得到真实有源层的温度分布，又可以探测器件的红外辐射图谱。两种技术的结合可以有效地将热点区域和异常红外辐射点结合起来，从而帮助用户更好地理解缺陷的本质。

请点击附件下载通读全文，如需了解该产品的更多详情，请点击Microsanj产品介绍链接：http://www.simu-cad.com/product-435.aspx